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Alpha Omega Semi 万代

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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
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替代：
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功率 - 最大值：1.4W（Ta）
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-23-3L
料号：JTG8-238
包装：
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
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外壳：
封装：SOT-23-3L
料号：JTG8-280
包装：
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外壳：
封装：SOT-23-3L
料号：JTG8-286
包装： 3000个/ 盘
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丝印：(请登录)
外壳：
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包装：
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外壳：
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料号：JTG8-361
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描述： MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23
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替代：
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漏源极电压（vdss）：55V
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功率 - 最大值：1.25W（Ta）
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-23-3L
料号：JTG8-409
包装：
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3
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替代：
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丝印：(请登录)
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
参数： *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:115 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:85 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):3.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.2nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:270pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 600V 53A TO247
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替代：
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
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Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：520W
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG8-1770
包装： 管件
参考价格:￥26.747100
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH
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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
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丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG8-1771
包装：
参考价格:￥26.747100
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品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
参数： *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:115 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:85 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):3.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.2nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:270pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):4.3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):4A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:44 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.2nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):5.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26.5 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):5.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):4A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:43 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1450pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.5W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.5W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):6.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1160pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):1A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:630 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 50V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):1.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:85 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.82nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:390pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):6A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8.8nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):2.1A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.3nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.25W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):1A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:225 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.57nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:101pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:52 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):29A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:150 毫欧 @ 14.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1312pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:357W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):53A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 26.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):59nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:3034pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):53A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 26.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):59nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3034pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:520W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):25A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26.4nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1278pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极(id)：25A（Tc）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：28W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：通孔
料号：JTG8-2012
包装：
参考价格:￥26.747100
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOWF25S65' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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